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Informazioni sul prodotto

Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -5A; 20W; DPAK; ESD

N. Articolo:
5068-2SJ668

Produttore:
Toshiba

N. Art. Produtt.:
2SJ668(TE16L1,NQ)

EAN/GTIN:
n.d.

Termini di ricerca:

FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione

Produttore: TOSHIBA
Montaggio: SMD
Corpo: DPAK
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 20W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Versione: ESD
Carico della porta: 15nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V

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