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Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1,17mJ; Eon: 2,36mJ


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1,17mJ; Eon: 2,36mJ
Transistor: IGBT; 650V; 60A; 166W; TO247; Eoff: 1,17mJ; Eon: 2,36mJ
N. Articolo:
     5068-AOK60B65H2AL
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOK60B65H2AL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Tensione di saturazione coll-emett.: 1,95V
Corrente del collettore: 60A
Corrente del collettore nel impulso: 180A
Tempo d'avvio: 113ns
Tempo d'interruzione: 270ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 166W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 84nC
Energia di attivazione: 2,36mJ
Energia disattivazione: 1,17mJ
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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