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Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolare; 100V; 12A; 3,1W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolare; 100V; 12A; 3,1W; SO8
Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolare; 100V; 12A; 3,1W; SO8
N. Articolo:
     5068-AOSP66923
Produttore:
     Alpha & Omega Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     AOSP66923
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 11mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 3,1W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 35nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: AlphaSGT™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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