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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W
N. Articolo:
     5068-APT106N60B2C6
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT106N60B2C6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247MAX
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 68A
Resistenza nello stato di conduzione: 35mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 833W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 308nC
Tecnologia: CoolMOS™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 318A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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