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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 200V; 67A; Idm: 268A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 200V; 67A; Idm: 268A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 200V; 67A; Idm: 268A
N. Articolo:
     5068-APT20M38BVRG
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT20M38BVRG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 200V
Corrente di drenaggio: 67A
Resistenza nello stato di conduzione: 38mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 370W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 225nC
Tecnologia: POWER MOS 5®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 268A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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