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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 30A; 1040W; T-Max


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-APT29F100B2
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT29F100B2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: T-Max
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 440mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,04kW
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 260nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: POWER MOS 8®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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