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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 34A; Idm: 102A; 417W; TO264
N. Articolo:
     5068-APT34N80LC3G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT34N80LC3G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 34A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,145Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 417W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 355nC
Tecnologia: CoolMOS™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 102A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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