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Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Transistor: IGBT; PT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-APT35GA90BD15
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     APT35GA90BD15
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 900V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 35A
Corrente del collettore nel impulso: 105A
Tempo d'avvio: 25ns
Tempo d'interruzione: 298ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 290W
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 84nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: POWER MOS 8®;PT
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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