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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W; TO247-3
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30A; Idm: 120A; 329W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-APT5016BFLLG
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     APT5016BFLLG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,16Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 329W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 72nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: POWER MOS 7®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 120A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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