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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 35A; Idm: 175A; 780W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-APT56F50B2
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT56F50B2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247MAX
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 35A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,1Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 780W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 0,22µC
Tecnologia: POWER MOS 8®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 175A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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