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Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 800V; 27A; Idm: 108A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 800V; 27A; Idm: 108A
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolare; 800V; 27A; Idm: 108A
N. Articolo:
     5068-APT8030LVRG
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APT8030LVRG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO264
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 27A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,3Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 520W
Polarizzazione: unipolare
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 510nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: POWER MOS 5®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 108A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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