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Modulo; transistor/transistor; 500V; 28A; SP3; Press-in PCB; 312W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-APTM50H10FT3G
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     APTM50H10FT3G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Corpo: SP3
Struttura del semiconduttore: transistor/transistor
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 28A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Potenza dissipata: 312W
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Tecnologia: POWER MOS 7®;FREDFET
Tensione porta-sorgente: ±30V
Topologia: termistore NTC;ponte ad H
Corrente di drain pulsata: 140A
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