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Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-BGH50N65HS1
Produttore:
     BASiC SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     BGH50N65HS1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: BASiC SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 50A
Corrente del collettore nel impulso: 200A
Tempo d'avvio: 54ns
Tempo d'interruzione: 256ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 357W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 308nC
Tecnologia: Trench;Field Stop;SiC SBD
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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