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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 0,12A; 1,8W; SOT223


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 0,12A; 1,8W; SOT223
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 0,12A; 1,8W; SOT223
N. Articolo:
     5068-BSP125H6327XTSA1
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSP125H6327XTSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Produttore: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaggio: SMD
Corpo: SOT223
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 0,12A
Resistenza nello stato di conduzione: 45Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,8W
Polarizzazione: unipolare
Tecnologia: SIPMOS™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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