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Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolare; 100V; 0,16A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolare; 100V; 0,16A
Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolare; 100V; 0,16A
N. Articolo:
     5068-BSS123-YAN
Produttore:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N. Art. Produtt.:
     BSS123
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 0,16A
Resistenza nello stato di conduzione: 5,5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 2,5nC
Tecnologia: TRENCH POWER MV
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
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