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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 8,5A; Idm: 48A; 45W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-BUK7Y113-100EX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7Y113-100EX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 8,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 313mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 45W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 10,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 48A
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