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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 120A; Idm: 600A; 172W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK7Y3R0-40HX
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK7Y3R0-40HX
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 6,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 172W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 59nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 600A
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