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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 67A; Idm: 383A; 157W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-BUK9609-40B.118
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9609-40B,118
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 67A
Resistenza nello stato di conduzione: 17,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 157W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 32nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Corrente di drain pulsata: 383A
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