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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK9616-75B.118
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9616-75B,118
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte: 75V
Corrente di drenaggio: 47A
Resistenza nello stato di conduzione: 34mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 157W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: logic level
Carico della porta: 35nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Corrente di drain pulsata: 270A
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