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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 75A; Idm: 697A; 254W


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N. Articolo:
     5068-BUK964R4-40B.118
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK964R4-40B,118
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 75A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,3mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 254W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 64nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Corrente di drain pulsata: 697A
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