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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 71A; Idm: 405A; 263W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-BUK969R3-100E.118
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK969R3-100E,118
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK;SOT404
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 71A
Resistenza nello stato di conduzione: 25,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 263W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 94,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 405A
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