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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 36,7A; Idm: 208A; 65W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-BUK9Y12-40E.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9Y12-40E,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 36,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 24,1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 65W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 9,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 208A
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