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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 100A; Idm: 591A; 167W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-BUK9Y3R5-40E.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     BUK9Y3R5-40E,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,6mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 167W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 30,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 591A
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