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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,3A; Idm: 14,8A; 500mW


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-CSD17382F4T
Produttore:
     Texas Instruments
N. Art. Produtt.:
     CSD17382F4T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TEXAS INSTRUMENTS
Montaggio: SMD
Corpo: PICOSTAR3
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 2,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,18Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Tecnologia: NexFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 14,8A
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