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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 200A; Idm: 400A; 375W; D2PAK


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-CSD18536KTT
Produttore:
     Texas Instruments
N. Art. Produtt.:
     CSD18536KTT
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TEXAS INSTRUMENTS
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 200A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,2mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 375W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Tecnologia: NexFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 400A
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