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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 14,4A; 20,2W; WSON6; 2x2mm


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 14,4A; 20,2W; WSON6; 2x2mm
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 14,4A; 20,2W; WSON6; 2x2mm
N. Articolo:
     5068-CSD19538Q2T
Produttore:
     Texas Instruments
N. Art. Produtt.:
     CSD19538Q2T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TEXAS INSTRUMENTS
Montaggio: SMD
Corpo: WSON6
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 14,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 49mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 20,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Dimensioni: 2x2mm
Carico della porta: 4,3nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: NexFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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