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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -4A; Idm: -38A; 0,5W; DSBGA9


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-CSD25202W15T
Produttore:
     Texas Instruments
N. Art. Produtt.:
     CSD25202W15T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TEXAS INSTRUMENTS
Montaggio: SMD
Corpo: DSBGA9
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -4A
Resistenza nello stato di conduzione: 52mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Tecnologia: NexFET™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±6V
Corrente di drain pulsata: -38A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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