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Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 110A; SOT227B; avvitabile; 580W


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Informazioni sul prodotto
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 110A; SOT227B; avvitabile; 580W
Modulo; transistor singolo; 1,2kV; 110A; SOT227B; avvitabile; 580W
N. Articolo:
     5068-DACMI160N1200-DCO
Produttore:
     DACO Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     DACMI160N1200
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: DACO Semiconductor
Temperatura di lavoro: -55...150°C
Corpo: SOT227B
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 110A
Resistenza nello stato di conduzione: 20mΩ
Potenza dissipata: 580W
Polarizzazione: unipolare
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: Transistor MOSFET
Tecnologia: SiC
Tensione porta-sorgente: -5...20V
Corrente di drain pulsata: 400A
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