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IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; SO8; -600÷290mA


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Informazioni sul prodotto
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; SO8; -600÷290mA
IC: driver; semi ponte IGBT,semi ponte MOSFET; SO8; -600÷290mA
N. Articolo:
     5068-DGD2106MS8-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DGD2106MS8-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
MOSFET
SMD transistor
Transistor SMD
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Temperatura di lavoro: -40...125°C
Corpo: SO8
Tensione di alimentazione: 10...20V DC
Corrente d'uscita: -600...290mA
Tipo di circuito integrato: driver
Tempo di accrescimento dell'impulso: 220ns
Tempo di discesa dell'impulso: 80ns
Numero canali: 2
Proprieta dei circuiti integrati: integrated bootstrap functionality
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Protezione: sottotensione UVP
#Offerte #promozionali: aac_202202
Genere di circuito integrato: high-/low-side;gate driver
Topologia: semi ponte IGBT;semi ponte MOSFET
Classe di tensione: 600V
Riepilogo condizioni1
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