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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 18A; Idm: 130A; 32,7W; QFN5x6


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DI028N10PQ2-AQ-DIO
Produttore:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     DI028N10PQ2-AQ
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: QFN5x6
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 18A
Resistenza nello stato di conduzione: 26mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 32,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 22nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 130A
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