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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -60V; -4,7A; Idm: -30A; 3W; SO8


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DI4A7P06SQ2-DIO
Produttore:
     DIOTEC SEMICONDUCTOR
N. Art. Produtt.:
     DI4A7P06SQ2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -4,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 8,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -30A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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