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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 320mA; Idm: 1A; 650mW; SOT563


Quantità:  pezzi  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMG1026UVQ-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG1026UVQ-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT563
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 0,32A
Resistenza nello stato di conduzione: 2,1Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 0,65W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 0,45pC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1A
Riepilogo condizioni1
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