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Transistor di potenza
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Articolo
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -3,6A; Idm: -30A; 1,1W; SC59
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-DMG3407SSN-7
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMG3407SSN-7
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore:
DIODES INCORPORATED
Montaggio:
SMD
Corpo:
SC59
Tensione drenaggio-fonte:
-30V
Corrente di drenaggio:
-3,6A
Resistenza nello stato di conduzione:
72mΩ
Tipo del transistor:
P-MOSFET
Potenza dissipata:
1,1W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
16nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
-30A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo P
>
Transistori con canale P SMD
Altri termini di ricerca:
transistor di potenza
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