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Transistor: P-MOSFET x2; unipolare; -25V; -120mA; 380mW; SOT363


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMG6302UDW-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMG6302UDW-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT363
Tensione drenaggio-fonte: -25V
Corrente di drenaggio: -120mA
Resistenza nello stato di conduzione: 13Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,38W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 340pC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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