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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 12V; 5A; 0,69W; U-DFN2020-6


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-DMN1019UFDE-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN1019UFDE-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: U-DFN2020-6
Tensione drenaggio-fonte: 12V
Corrente di drenaggio: 5A
Resistenza nello stato di conduzione: 41mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,69W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
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Stato magazzino: Magazzino 5068
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