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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,7A; Idm: 10A; 1,31W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-DMN10H170SFDE-7
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMN10H170SFDE-7
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
DIODES INCORPORATED
Montaggio:
SMD
Corpo:
U-DFN2020-6
Tensione drenaggio-fonte:
100V
Corrente di drenaggio:
2,7A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,2Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
1,31W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
9,7nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±20V
Corrente di drain pulsata:
10A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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