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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 2,1A; Idm: 11,2A; 1,7W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-DMN10H170SVT-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN10H170SVT-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: TSOT26
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 2,1A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,2Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 9,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 11,2A
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