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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 4,7A; Idm: 30A; 7,5W; TO252


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMN10H220LK3-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN10H220LK3-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 4,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,25Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 7,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 6,7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 30A
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