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Transistor a effetto campo
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 1,79A; Idm: 6,6A; 1,07W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-DMN10H220LVT-7
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMN10H220LVT-7
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore:
DIODES INCORPORATED
Montaggio:
SMD
Corpo:
TSOT26
Tensione drenaggio-fonte:
100V
Corrente di drenaggio:
1,79A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,25Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
1,07W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Carico della porta:
8,3nC
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±16V
Corrente di drain pulsata:
6,6A
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
,
MOSFET
,
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
transistor a effetto campo
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