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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 130V; 1A; Idm: 3,3A; 1,26W; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 130V; 1A; Idm: 3,3A; 1,26W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 130V; 1A; Idm: 3,3A; 1,26W; SOT23
N. Articolo:
     5068-DMN13H750S-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN13H750S-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 130V
Corrente di drenaggio: 1A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,85Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,26W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 5,6nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 3,3A
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