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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 14A; Idm: 130A; 2,27W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMN2005UFG-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN2005UFG-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI3333-8
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 14A
Resistenza nello stato di conduzione: 8,7mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,27W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 164nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 130A
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