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Transistor di potenza
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Articolo
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 20V; 0,96A; 0,5W; X1-DFN1006-3
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
5068-DMN2300UFB4-7B
Produttore:
Diodes
N. Art. Produtt.:
DMN2300UFB4-7B
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore:
DIODES INCORPORATED
Montaggio:
SMD
Corpo:
X1-DFN1006-3
Tensione drenaggio-fonte:
20V
Corrente di drenaggio:
0,96A
Resistenza nello stato di conduzione:
0,5Ω
Tipo del transistor:
N-MOSFET
Potenza dissipata:
0,5W
Polarizzazione:
unipolare
Genere di confezione:
nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori:
ESD protected gate
Genere di canale:
arricchito
Tensione porta-sorgente:
±8V
... >
Transistori unipolari
>
Transistori con canale tipo N
>
Transistori con canale N SMD
Altri termini di ricerca:
SMD transistor
,
Transistor SMD
,
Transistori
,
Transistore
,
smd transistor
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