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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 12A; Idm: 80A; 1,8W; SO8


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 12A; Idm: 80A; 1,8W; SO8
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 12A; Idm: 80A; 1,8W; SO8
N. Articolo:
     5068-DMN3009SSS-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN3009SSS-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,5mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 42nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 80A
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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