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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 13,6A; Idm: 90A; 1,8W; TO252


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N. Articolo:
     5068-DMN3016LK3-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN3016LK3-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 13,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 16mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 25,1nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 90A
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