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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 7A; Idm: 60A; 2,2W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMN3018SFGQ-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN3018SFGQ-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: PowerDI3333-8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 7A
Resistenza nello stato di conduzione: 35mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 2,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 13,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 60A
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