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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 2,7A; Idm: 25A; 0,84W; TSOT26


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-DMN3135LVT-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN3135LVT-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: TSOT26
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 2,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 60mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,84W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 25A
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