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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 18A; Idm: 70A; 2,1W; TO252


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-DMN4026SK3-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN4026SK3-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 18A
Resistenza nello stato di conduzione: 32mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 2,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 21,3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 70A
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Prezzi: Magazzino 5068
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Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
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