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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8
Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 40V; 5,6A; Idm: 40A; 2,6W; SO8
N. Articolo:
     5068-DMN4031SSDQ-13
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN4031SSDQ-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SO8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 5,6A
Resistenza nello stato di conduzione: 50mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Applicazione: settore automotive
Potenza dissipata: 2,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 18,6nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 40A
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