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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 260mA; Idm: 1,2A; 330mW


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-DMN63D1LT-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN63D1LT-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT523
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 0,26A
Resistenza nello stato di conduzione: 3Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,33W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 392pC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 1,2A
Riepilogo condizioni1
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