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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 150mA; Idm: 0,8A; 340mW
N. Articolo:
     5068-DMN67D7L-7
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN67D7L-7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: DIODES INCORPORATED
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23-3
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 0,15A
Resistenza nello stato di conduzione: 7,5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,34W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 821pC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±40V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
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